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对向低损伤阴极

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产品详情

对向低损伤阴极

平衡高溅射效率和低基片损伤,专门为温度敏感或者结构脆弱的基片优化的设计

核心特点:

l 较低的离子沉积能量

l 对基片损伤更低

l ITO膜电阻更低,表面平滑

l 成膜温度低,适合柔性基材


基本参数:

靶材宽度

50,70,90,100,120,150,200mm

靶材长度

依据客户要求

靶材种类

非导磁靶材/导磁靶材

真空漏率

<1*10-10 Pa*m3/s

功率密度

5-20W/cm²(DC)

溅射电压

200V-1000V

工作压强

0.1-10Pa(Ar)

冷却要求

>1L/min/KW

安装方式

外安装、内安装

适用电源

直流、脉冲、中频、射频

可选模块

挡板,角度调节,靶基距调节

*提供特殊工艺阴极定制服务


低损伤阴极在全工况下均能将基片温升控制在极低水平,显著优于常规阴极,有效降低了

基材热变形与损伤风险,特别适配柔性基材、热敏材料的镀膜工艺。




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