对向低损伤阴极
平衡高溅射效率和低基片损伤,专门为温度敏感或者结构脆弱的基片优化的设计
核心特点:
l 较低的离子沉积能量
l 对基片损伤更低
l ITO膜电阻更低,表面平滑
l 成膜温度低,适合柔性基材
基本参数:
靶材宽度 | 50,70,90,100,120,150,200mm |
靶材长度 | 依据客户要求 |
靶材种类 | 非导磁靶材/导磁靶材 |
真空漏率 | <1*10-10 Pa*m3/s |
功率密度 | 5-20W/cm²(DC) |
溅射电压 | 200V-1000V |
工作压强 | 0.1-10Pa(Ar) |
冷却要求 | >1L/min/KW |
安装方式 | 外安装、内安装 |
适用电源 | 直流、脉冲、中频、射频 |
可选模块 | 挡板,角度调节,靶基距调节等 |
*提供特殊工艺阴极定制服务

低损伤阴极在全工况下均能将基片温升控制在极低水平,显著优于常规阴极,有效降低了
基材热变形与损伤风险,特别适配柔性基材、热敏材料的镀膜工艺。